中芯国际集成电路制造有限公司和非挥发性内存(NVM)技术提供商SAIFUN半导体日前共同宣布将采用中芯先进工艺技术合作生产8GB数据闪存。这一基于SUNFUN嵌入式NROM技术和设计而成的独特产品，将有望于2008年进入市场。

    SAIFUN嵌入式NROM每基本存储单元四位元技术突破现有的非挥发性内存技术，比常规存储器容量增加一倍，结构却更为简单，从而需要更少的制造步骤，降低了生产成本。采用中芯先进工艺的8GB数据闪存的发展体现了嵌入式NROM的优势，使最具成本效益的闪存制造得以实现。它将使中芯凭借非常可靠和高性能的产品进入极具挑战的闪存市场。

    中芯旨在提供一个全面闪存产品，从而进军中国乃至全球新兴电子消费市场。其现已基于SAIFUN嵌入式NROM每基本存储单元二位元技术产出第一批2GB NAND闪存产品的工程样本，计划于2006年底开始量产。

    “我们很高兴能进一步与中芯国际合作，使最先进的闪存产品推向市场”，SAIFUN半导体公司董事长兼首席执行官Kobi Rozengarten先生表示，“我们相信，中芯的创新与努力，结合SAIFUN的独特NROM技术，将使两家公司成为利润可观的数据市场的佼佼者。”

    “我们很高兴能与SAIFUN进一步拓展我们的伙伴关系，进入更先进的闪存技术。这再次证明了我们提升闪存产品的共同承诺，”中芯国际总裁兼首席执行官张汝京博士表示，“我们相信，凭借SAIFUN的前沿技术开发和中芯可靠先进的制造能力，将进一步加强我们在闪存市场的地位。”    (电子工程专辑)